Транзистор FQPF6N80C
80.00 ден (вклучено ДДВ)800V, 5.5A, 51W, 2.5Ω, QFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type
Транзистор FQPF6N90C
80.00 ден (вклучено ДДВ)900V, 6A, 56W, 2.3Ω, QFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type
Транзистор FQPF7N60C
100.00 ден (вклучено ДДВ)600V, 4.3A, 48W, 1.2Ω, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type
Транзистор FQPF7N80C
80.00 ден (вклучено ДДВ)800V, 6.6A, 56W, 1.9Ω, QFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type
Транзистор FQPF8N60C
130.00 ден (вклучено ДДВ)600V, 7.5A, 48W, 1.2Ω, QFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type
Транзистор FQPF8N80C
180.00 ден (вклучено ДДВ)800V, 8A, 59W, 1.55Ω, QFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type
Транзистор FQPF8N90
250.00 ден (вклучено ДДВ)900V, 6.3A, 60W, 1.9Ω, QFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type
Транзистор FQPF9N60C
120.00 ден (вклучено ДДВ)600V, 9A, 29.8W, 0.385Ω, SuperMOS Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type
Транзистор FQPF9N90C
230.00 ден (вклучено ДДВ)900V, 8A, 68W, 1.4Ω, QFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type
Транзистор FQT4N20L
150.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 200V, 0.85A, 2.2W, 1.1Ω, Logic Level, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type
Транзистор FQU11P06
120.00 ден (вклучено ДДВ)60V, 9.4A, 38W, 0.185Ω, Trench Power MOSFET, P-channel FET, enhancement type+diode
Транзистор HGT1S7N60A4DS
180.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 600V, 34A, 125W, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode IGBT