Прикажи 12 24 36

Диода DSEI60-06A

380.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 60A, 166W, UFM1.8V/70A, IFSM550A, 35nS, Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

Диода DSEI60-12A

440.00 ден (вклучено ДДВ)
1200V, 52A, 189W, UFM2.55V/60A, IFSM500A, 40ns, Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

Диода DSP8-12A

180.00 ден (вклучено ДДВ)
2x1200V, 8A, 100W, UFM1.16V/8A, IFSM120A, 4pF, Dual Phase-leg Rectifier Diode

Тиристор CLA100E1200HB

790.00 ден (вклучено ДДВ)
1200V, 160A, IGT>0.04A, 220W, Single High Efficiency Thyristor

Тиристор CLA50E1200HB

690.00 ден (вклучено ДДВ)
1200V, 79A, IGT>0.05A, 500W, Single High Efficiency Thyristor

Транзистор IXDH35N60BD1

530.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 60A, 250W, High Speed IGBT with optional Diode, N-Channel IGBT+diode

Транзистор IXFH12N100Q

540.00 ден (вклучено ДДВ)
1000V, 12A, 300W, 1.05Ω, Q Class, HiPerFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type

Транзистор IXFH15N100Q

430.00 ден (вклучено ДДВ)
1000V, 15A, 360W, 0.7Ω, Q-Class HiPerFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type

Транзистор IXFH26N50

430.00 ден (вклучено ДДВ)
500V, 26A, 300W, 0.2Ω, HDMOS Family, HiPerFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type

Транзистор IXFH26N50Q

1,030.00 ден (вклучено ДДВ)
500V, 26A, 300W, 0.2Ω, Q-Class, HiPerFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type

Транзистор IXFH26N60Q

660.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 26A, 360W, 0.25Ω, Q-Class, HiPerFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type

Транзистор IXFH30N50P

630.00 ден (вклучено ДДВ)
500V, 30A, 460W, 0.2Ω, PolarHVT, HiPerFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type