Прикажани 1–12 од 13 резултати
SMD, 80V, 100mA, UFM1.2/0.1A, IFSM0.5A, 3ns, 1.2pF, Single Silicon Switching Diode
Silicon NPN Epitaxial Planar Type Power Amplifier
82.5Ohm, SMD 0805, 125mW, ± 0.1%, -55°C to +155°C, Metal Film, Отпорник
Слим реле, APAN3112, 12V, 5A, 4 пина
Слим реле, APAN3124, 24V, 5A, 4 пина
60V, 40A, 45W, 0.05Ω, Metal oxide transistor Power F N-channel FET, enhancement type
800V, 2A, 30W, 7Ω, Metal oxide transistor Power F N-channel FET, enhancement type+diode
Vces=330V, Ic=40A, Icp=250A, N-Channel IGBT DG3C301 (DG3C3010CL)
SMD, Vces=330V, Ic=40A, Icp=250A, N-Channel IGBT DG3C301 (DG3C3010CL)
SMD, Vces=330V, Ic=45A, Icp=250A, IGBT Ultra-Fast Power Transistor function DG3C302 (DG3C3020CL)
Transistor IGBT
Нашиот сајт користи колачиња (cookies), кои овозможуваат подобро корисничко искуство. Со продолжување на користење на сајтот или кликнување на “Се согласувам” се согласувате со користењето на колачињата.