Прикажи 12 24 36

Тиристор CR03AM12

50.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 0.47A, IGT<100µA, 0.1W, Low Power Non-Insulated Glass Passivation Type Thyristor

Тиристор CR5AS12

100.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 7.8A, IGT<200µA, 0.1W, Low Power Non-Insulated Glass Passivation Type Thyristor

Транзистор 2SA872A

20.00 ден (вклучено ДДВ)
90V/90V, 0.05A, 0.3W, 120MHz, Bipolar (BJT) Transistor PNP

Транзистор 2SC1222

20.00 ден (вклучено ДДВ)
50V/45V, 0.05A, 0.25W, 100MHz, Bipolar (BJT) Transistor NPN

Транзистор 2SC4550

130.00 ден (вклучено ДДВ)
100V/60V, 7A, 30W, 150MHz, Bipolar (BJT) Transistor NPN

Транзистор 2SK1307

230.00 ден (вклучено ДДВ)
100V, 20A, 35W, 0.065Ω, 4V Gate Drive, Metal oxide transistor Power N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор 2SK1808

200.00 ден (вклучено ДДВ)
900V, 4A, 35W, 4Ω, Metal oxide transistor N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор 2SK2225

450.00 ден (вклучено ДДВ)
1500V, 2A, 50W, 12Ω, Metal oxide transistor Power N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор 2SK3115B

150.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 6A, 35W, 1.2Ω, Field effect transistor Power N-channel MOS FET, enhancement type

Транзистор 2SK3235

310.00 ден (вклучено ДДВ)
500V, 15A, 150W, 0.3Ω, Metal oxide transistor Power N-channel FET, enhancement type

Транзистор H5N3011P

440.00 ден (вклучено ДДВ)
300V, 88A, 150W, 0.048Ω/10V, Metal oxide N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор HAT2215R

160.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 80V, 3.4A, 1.5W, 0.145Ω, Dual, 4.5V-Drive Power Amplifier, Silicon N Channel Power MOSFET with diode