Прикажи 12 24 36

Транзистор GT30F124

200.00 ден (вклучено ДДВ)
Vces=300V, Icp=200A, 25W, N-Channel IGBT

Транзистор GT30F125

230.00 ден (вклучено ДДВ)
Vces=330V, Icp=200A, 25W, N-Channel IGBT

Транзистор GT30F126

240.00 ден (вклучено ДДВ)
Vces=330V, Icp=200A, 18W, N-Channel IGBT

Транзистор GT30F131

150.00 ден (вклучено ДДВ)
Vces=360V, Icp=200A, 140W, N-Channel IGBT

Транзистор GT30F131 TO-263

220.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, Vces=360V, Icp=200A, 140W, N-Channel IGBT

Транзистор GT30F133

250.00 ден (вклучено ДДВ)
Vces=360V, Icp=200A, 125W, N-Channel Current Rating IGBT

Транзистор GT30F133 TO-263

300.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, Vces=360V, Icp=200A, 125W, N-Channel Current Rating IGBT

Транзистор GT30J122

300.00 ден (вклучено ДДВ)
Vces 600V, Icp 100A, 75W, 4th Generation N-Channel IGBT

Транзистор GT30J124

220.00 ден (вклучено ДДВ)
Vces 600V, Icp 200A, 26W, N-Channel IGBT

Транзистор GT30J127

170.00 ден (вклучено ДДВ)
Vces 600V, Icp 200A, 25W, N-Channel IGBT

Транзистор GT30J301

660.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 30A, 155W, High Speed, N-Channel IGBT+diode

Транзистор GT30J322

650.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 30A, 75W, High Speed, Enhancement mode type, 4th Generation, FRED included between emitter and collector, Silicon N-Channel IGBT+diode