Прикажи 12 24 36

Транзистор NGD8201ANT4G

600.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 440V, 20A, 125W, Logic Level Insulated Gate, Gate−Emitter ESD Protection, Integrated ESD Diode Protection, Ignition N Channel IGBT

Транзистор NGTB40N60FLWG

750.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 80A, 257W, Trench with Field Stop Technology, N-channel IGBT

Транзистор RJH3044

230.00 ден (вклучено ДДВ)
360V, 30A, 20W, Silicon N Channel IGBT

Транзистор RJH3047

350.00 ден (вклучено ДДВ)
330V, 50A, 120W, Silicon N Channel IGBT+diode

Транзистор RJH3077

660.00 ден (вклучено ДДВ)
330V, 50A, 120W, Silicon N Channel IGBT+diode

Транзистор RJH30A3

270.00 ден (вклучено ДДВ)
300V, 30A, 20W, Transistor IGBT

Транзистор RJH30E2

200.00 ден (вклучено ДДВ)
360V, 35A, 25W, Silicon N Channel IGBT

Транзистор RJH30H2

300.00 ден (вклучено ДДВ)
360V, 35A, 60W, Silicon N Channel IGBT+diode

Транзистор RJH6075

390.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 45A, 240W, Silicon N Channel IGBT

Транзистор RJH60D2DPP

270.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 20A, 22.5W, Silicon N Channel IGBT

Транзистор RJH60D3DPP

390.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 35A, 40W, Silicon N Channel IGBT+diode

Транзистор RJH60F5

430.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 80A, 260W, Silicon N Channel IGBT