Прикажи 12 24 36

Транзистор HY1906P

140.00 ден (вклучено ДДВ)
60V, 120A, 188W, 0.006Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode

Транзистор HY3008P

330.00 ден (вклучено ДДВ)
100V, 80A, 200W, 0.0066Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode

Транзистор HY3410P

190.00 ден (вклучено ДДВ)
100V, 140A, 285W, 0.0062Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode

Транзистор HY3610

320.00 ден (вклучено ДДВ)
100V, 160A, 380W, 0.0055Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode

Транзистор HY3810P

200.00 ден (вклучено ДДВ)
100V, 180A, 346W, 0.0065Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode

Транзистор HY4008W

420.00 ден (вклучено ДДВ)
80V, 200A, 397W, 0.0029Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode

Транзистор HY4504P

300.00 ден (вклучено ДДВ)
40V, 250A, 288W, 0.0023Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode

Транзистор HY5110W

510.00 ден (вклучено ДДВ)
100V, 316A, 500W, 0.0021Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode

Транзистор IGB10N60T

240.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 600V, 20A, 92W, Fast S-IGBT in NPT-technology, N Channel IGBT, G10T60

Транзистор IGB15N60T

460.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 600V, 26A, 130W, Low Loss, TrenchStop and Fieldstop technology, N-channel IGBT

Транзистор IGCM04G60HA

3,080.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 4A, CIPOS, IGBT Dual In-Line Intelligent Power Module 3 Phase -bridge

Транзистор IGCM15F60GA

2,130.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 15A, CIPOS, IGBT Dual In-Line Intelligent Power Module 3 Phase -bridge