Прикажи 12 24 36

Транзистор NCE82H140

210.00 ден (вклучено ДДВ)
82V, 140A, 220W, <0.006Ω, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type

Транзистор NDP6020P

130.00 ден (вклучено ДДВ)
20V, 24A, 60W, 0.05Ω, Logic Level, Metal oxide P-channel FET, enhancement type

Транзистор NDP6060

160.00 ден (вклучено ДДВ)
48V, 60A, 100W, 0.025Ω, Metal oxide N-channel FET, enhancement type

Транзистор NDP7060

150.00 ден (вклучено ДДВ)
60V, 75A, 150W, 0.013Ω, Metal oxide N-channel FET, enhancement type

Транзистор NDS332P

60.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 20V, 1A, 0.5W, 0.41Ω, Logic Level, P-Channel Mode Field Effect Transistor, Enhancement type

Транзистор NDS9400A

110.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 3.4A, 2.5W, 0.13Ω, P-Channel Mode Field Effect Transistor, Enhancement type

Транзистор NDS9945

165.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 60V, 3.5A, 2W, 0.10Ω, Dual N-Channel Mode Field Effect Transistor, Enhancement type

Транзистор NDS9948

90.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 60V, 2.3A, 2W, 0.25Ω, Dual P-Channel Mode Field Effect Transistor, Enhancement type

Транзистор NDS9955

90.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 50V, 3A, 2W, 0.13Ω, Dual N-Channel Mode Field Effect Transistor, Enhancement type

Транзистор NDT2955

90.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 60V, 2.5A, 3W, 0.3Ω, MOSFET P-channel FET, enhancement type

Транзистор NDT3055L

130.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 60V, 4A, 3W, 0.1Ω, Logic Level, MOSFET N-channel FET, enhancement type

Транзистор NGD8201ANT4G

600.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 440V, 20A, 125W, Logic Level Insulated Gate, Gate−Emitter ESD Protection, Integrated ESD Diode Protection, Ignition N Channel IGBT