Транзистор DFP30N06
80.00 ден (вклучено ДДВ)60V, 30A, 105W, 0.04Ω, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type
Транзистор DG301
230.00 ден (вклучено ДДВ)Vces=330V, Ic=40A, Icp=250A, N-Channel IGBT DG3C301 (DG3C3010CL)
Транзистор DG301 D2PAK
220.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, Vces=330V, Ic=40A, Icp=250A, N-Channel IGBT DG3C301 (DG3C3010CL)
Транзистор DG302
230.00 ден (вклучено ДДВ)Vces=330V, Ic=45A, Icp=250A, IGBT Ultra-Fast Power Transistor function DG3C302 (DG3C3020CL)
Транзистор DG302 D2PAK
220.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, Vces=330V, Ic=45A, Icp=250A, IGBT Ultra-Fast Power Transistor function DG3C302 (DG3C3020CL)
Транзистор DMP2160UW-7
65.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 20V, 1.5A, 0.35W, 0.075Ω, Power Field effect transistor P-channel FET, enhancement type+diodes
Транзистор DMP2215L-7
40.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 20V, 2.7A, 1.08W, 0.08Ω, Power Field effect transistor P-channel FET, enhancement type+diodes
Транзистор DMP3130L-7
60.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 30V, 3.5A, 1.4W, 0.095Ω, Power Field effect transistor P-channel FET, enhancement type+diodes
Транзистор DTA114ESA
10.00 ден (вклучено ДДВ)50V/40V, 0.05A, 0.15W, 250MHz, RB=10K/10K, Digital Bipolar (BJT) Transistor PNP, Built-in resistor type
