Транзистор IPW60R160C6
920.00 ден (вклучено ДДВ)600V, 23.8A, 176W, 0.16Ω, CoolMOS C6 Power Transistor, N-channel FET, enhancement type
Транзистор IPW60R190C6
500.00 ден (вклучено ДДВ)600V, 20.2A, 151W, 0.19Ω, CoolMOS C6 Power Transistor, N-channel FET, enhancement type
Транзистор IPW60R199CP
360.00 ден (вклучено ДДВ)600V, 16A, 139W, 0.199Ω, CoolMOS Power Transistor, N-channel FET, enhancement type
Транзистор IRF1010E
90.00 ден (вклучено ДДВ)60V, 84A, 200W, 0.012Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode
Транзистор IRF1010ES
120.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 60V, 84A, 200W, 0.012Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode
Транзистор IRF1010N
70.00 ден (вклучено ДДВ)55V, 85A, 180W, 0.011Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode
Транзистор IRF1010NS
110.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 55V, 85A, 180W, 0.011Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode
Транзистор IRF1310N
130.00 ден (вклучено ДДВ)100V, 42A, 160W, 0.036Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode
Транзистор IRF1404
90.00 ден (вклучено ДДВ)40V, 162A, 200W, 0.004Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode
Транзистор IRF1404S
180.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 40V, 162A, 200W, 0.004Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode
Транзистор IRF1404Z
120.00 ден (вклучено ДДВ)40V, 75A, 200W, 0.0037Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode
Транзистор IRF1405
150.00 ден (вклучено ДДВ)55V, 169A, 330W, 0.0053Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode