Прикажи 12 24 36

Транзистор IPP60R160C6

350.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 23.8A, 176W, 0.16Ω, CoolMOS C6 Power Transistor, N-channel FET, enhancement type

Транзистор IPP60R199CP

270.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 16A, 139W, 0.199Ω, CoolMOS Power Transistor, N-channel FET, enhancement type

Транзистор IPP60R385CP

280.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 9A, 83W, 0.385Ω, CoolMOS Power Transistor, N-channel FET, enhancement type

Транзистор IPS511G

350.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 50V, 5A, 1W, 0.15Ω, Fully Protected High Side POWER MOSFET, N-channel FET

Транзистор IPW60R099CP

900.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 31A, 255W, 0.099Ω, CoolMOS Power Transistor, N-channel FET, enhancement type

Транзистор IPW60R160C6

920.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 23.8A, 176W, 0.16Ω, CoolMOS C6 Power Transistor, N-channel FET, enhancement type

Транзистор IPW60R190C6

500.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 20.2A, 151W, 0.19Ω, CoolMOS C6 Power Transistor, N-channel FET, enhancement type

Транзистор IPW60R199CP

360.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 16A, 139W, 0.199Ω, CoolMOS Power Transistor, N-channel FET, enhancement type

Транзистор IRF1010E

90.00 ден (вклучено ДДВ)
60V, 84A, 200W, 0.012Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор IRF1010ES

120.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 60V, 84A, 200W, 0.012Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор IRF1010N

70.00 ден (вклучено ДДВ)
55V, 85A, 180W, 0.011Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор IRF1010NS

110.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 55V, 85A, 180W, 0.011Ω, HEXFET Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode