Прикажи 12 24 36

Транзистор SGW20N60

330.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 40A, 179W, NPT Series, Fast N-Channel IGBT

Транзистор SGW20N60HS

410.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 36A, 178W, NPT-technology High Speed N-channel IGBT

Транзистор SGW25N120

1,330.00 ден (вклучено ДДВ)
1200V, 46A, 313W, Fast IGBT in NPT-technology, N Channel IGBT

Транзистор SGW30N60

450.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 41A, 250W, Fast IGBT in NPT-technology, N Channel IGBT

Транзистор SGW50N60HS

600.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 100A, 416W, High Speed NPT Series, N-Channel IGBT

Транзистор SI2302CDS

55.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 20V, 2.8A, 1.25W, 0.085Ω, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI2306BDS

75.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 4A, 1.25W, 0.047Ω, Logic Level, TrenchFET, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI2307DS

65.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 3A, 1.25W, 0.08Ω, (D-S) MOSFET, P-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI4134DY

120.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 14A, 5W, 0.014Ω, (D-S) MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI4425BDY-T1-E3

100.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 11.4A, 2.5W, 0.012Ω, TrenchFET, Power MOSFET, P-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI4431BDY-T1-E3

120.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 7.5A, 2.5W, 0.03Ω, TrenchFET, Power MOSFET, P-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI4435DY

100.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 8A, 2.5W, 0.02Ω, TrenchFET, Power MOSFET, P-channel FET, enhancement type+diode