Прикажи 12 24 36

Транзистор SI4925BDY

120.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 7.1A, 2W, 0.025Ω, TrenchFET, Power MOSFET, Dual P-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI4925DY

70.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 6.3A, 2W, 0.032Ω, TrenchFET, Power MOSFET, Dual P-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI4936ADY

130.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 5.9A, 2W, 0.036Ω, TrenchFET, Power MOSFET, Dual N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI4948BEY

130.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 60V, 3.1A, 2.4W, 0.12Ω, TrenchFET, Power MOSFET, Dual P-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI4953ADY

80.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 4.9A, 2W, 0.053Ω, TrenchFET, Power MOSFET, Dual P-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI7848DP

310.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 40V, 17A, 5W, 0.0075Ω, TrenchFET, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI9435DY

110.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 5.1A, 2.5W, 0.055Ω, PowerTrench MOSFET, P-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI9945BDY

110.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 60V, 5.3A, 3.1W, 0.058Ω, TrenchFET, Power MOSFET, Dual N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SI9953DY

180.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 20V, 2.3A, 2W, 0.25Ω, Power MOSFET, Dual P-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SIHG20N50C

260.00 ден (вклучено ДДВ)
500V, 20A, 250W, 0.27Ω, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type

Транзистор SKW07N120

270.00 ден (вклучено ДДВ)
1200V, 16.5A, 125W, NPT Series, Anti-Parallel Hyperfast Diode, N-Channel IGBT+diode

Транзистор SKW10N60

230.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 21A, 104W, Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode, N Channel IGBT+diode