Прикажи 12 24 36

Транзистор SKW25N120

820.00 ден (вклучено ДДВ)
1200V, 46A, 313W, Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode, N Channel IGBT+diode

Транзистор SKW30N60

460.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 41A, 250W, Fast IGBT in NTP technology Anti-Parallel Hyperfast Diode, N-Channel IGBT+diode

Транзистор SKW30N60HS

410.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 41A, 250W, High Speed IGBT in NTP technology, N-Channel IGBT

Транзистор SMK0460D

160.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 600V, 4A, 48W, 2.1Ω, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SMK0460F

120.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 4A, 30W, 2.1Ω, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SMK0760F

150.00 ден (вклучено ДДВ)
600V, 7A, 30W, 1Ω, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SMK0765F

100.00 ден (вклучено ДДВ)
650V, 7A, 40W, 1.2Ω, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SMK0825F

240.00 ден (вклучено ДДВ)
250V, 8A, 29W, 0.35Ω, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SMK830F

100.00 ден (вклучено ДДВ)
500V, 4.5A, 30W, 1.2Ω, Power MOSFET, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SP8K2

170.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 6A, 2W, 0.03Ω, Switching Power MOSFET, G-S Protection Diode, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SP8K3

150.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 7A, 2W, 0.024Ω, Switching Power MOSFET, G-S Protection Diode, N-channel FET, enhancement type+diode

Транзистор SP8M3

120.00 ден (вклучено ДДВ)
SMD, 30V, 5A/4.5A, 2W, 0.051Ω/0.082Ω, Power MOSFET, G-S Protection Diode, Dual N/P-channel FET, enhancement type+diode