Транзистор HY3008P
330.00 ден (вклучено ДДВ)100V, 80A, 200W, 0.0066Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY3410P
190.00 ден (вклучено ДДВ)100V, 140A, 285W, 0.0062Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY3610
320.00 ден (вклучено ДДВ)100V, 160A, 380W, 0.0055Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY3810P
200.00 ден (вклучено ДДВ)100V, 180A, 346W, 0.0065Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY4008W
420.00 ден (вклучено ДДВ)80V, 200A, 397W, 0.0029Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY4504P
300.00 ден (вклучено ДДВ)40V, 250A, 288W, 0.0023Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY5110W
510.00 ден (вклучено ДДВ)100V, 316A, 500W, 0.0021Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор IGB10N60T
240.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 600V, 20A, 92W, Fast S-IGBT in NPT-technology, N Channel IGBT, G10T60
Транзистор IGB15N60T
460.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 600V, 26A, 130W, Low Loss, TrenchStop and Fieldstop technology, N-channel IGBT
Транзистор IGCM04G60HA
3,080.00 ден (вклучено ДДВ)600V, 4A, CIPOS, IGBT Dual In-Line Intelligent Power Module 3 Phase -bridge
Транзистор IGCM15F60GA
2,130.00 ден (вклучено ДДВ)600V, 15A, CIPOS, IGBT Dual In-Line Intelligent Power Module 3 Phase -bridge
Транзистор IGCM20F60GA
3,010.00 ден (вклучено ДДВ)600V, 20A, CIPOS, IGBT Dual In-Line Intelligent Power Module 3 Phase -bridge
