Транзистор HUF76639S3S
460.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 100V, 50A, 180W, 0.027Ω, Logic Level, UltraFET Power MOSFET N-channel FET
Транзистор HY1606AP
300.00 ден (вклучено ДДВ)60V, 60A, 130W, 0.0105Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY1906D
330.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 60V, 70A, 62.5W, 0.0063Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY1906P
140.00 ден (вклучено ДДВ)60V, 120A, 188W, 0.006Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY3008P
330.00 ден (вклучено ДДВ)100V, 80A, 200W, 0.0066Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY3410P
190.00 ден (вклучено ДДВ)100V, 140A, 285W, 0.0062Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY3610
320.00 ден (вклучено ДДВ)100V, 160A, 380W, 0.0055Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY3810P
200.00 ден (вклучено ДДВ)100V, 180A, 346W, 0.0065Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY4008W
420.00 ден (вклучено ДДВ)80V, 200A, 397W, 0.0029Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY4504P
300.00 ден (вклучено ДДВ)40V, 250A, 288W, 0.0023Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор HY5110W
510.00 ден (вклучено ДДВ)100V, 316A, 500W, 0.0021Ω, Enhancement Mode MOSFET, N-channel FET+diode
Транзистор IGB10N60T
240.00 ден (вклучено ДДВ)SMD, 600V, 20A, 92W, Fast S-IGBT in NPT-technology, N Channel IGBT, G10T60